Станции первой очереди — различия между версиями

Версия 20:15, 19 февраля 2019

Станция 1-1 «Микрофокус»

Станция «Микрофокус» использует сочетание уникального преимущества источника СИ 4-го поколения — сверхмалого эмиттанса — и последних достижений рентгеновской оптики для решения приоритетных задач фундаментальной и прикладной науки, требующих применения высокоинтенсивных сфокусированных пучков СИ.

Станция 1-2 «Структурная диагностика»

Станция предназначена для решения широкого спектра исследовательских и технологических задач, методами рентгеновской дифракции с использованием синхротронного излучения:

- реализация комплекса дифракционных методик, предполагающих проведение исследований в режиме высокого инструментального разрешения с возможностью варьирования рабочей энергии синхротронного излучения для синтетических, геологических, биологических соединений и функциональных материалов разнообразного назначения;

- реализация метода монокристального рентгеноструктурного анализа для определения кристаллических структур образцов, исследование которых с использованием стандартных лабораторных дифрактометров по определенным причинам (малый размер, малое время жизни и т.д.) крайне затруднено либо полностью не реализуемо;

- реализация дифракционных исследований веществ и материалов в условиях воздействия высоких температур в различных газовых средах, в том числе, в условиях протекания химических каталитических реакций;

- реализация метода малоуглового рассеяния для получения информации о форме и размере широкого круга объектов, от неорганических материалов до биологических образцов.

Станция 1-3 «Быстропротекающие процессы»

Cтанция предназначена для исследования быстропротекающих процессов в веществе, а также поведения вещества и материалов в условиях мощных импульсных воздействий лазерного излучения, взрыва, ударных волн, плазмы и направленных потоков частиц, и при синтезе новых высокотемпературных композитных материалов. Измерительное оборудование будет оптимизировано для проведения рентгенографических и дифракционных измерений с высоким временным разрешением, вплоть до регистрации сигнала с каждого банча.

Станция 1-4 «XAFS-спектроскопия и магнитный дихроизм»

Станция «XAFS-спектроскопия и магнитный дихроизм» предназначена для реализации комплекса методов исследования локальной пространственной, электронной и магнитной структуры кристаллических и аморфных материалов, молекулярных кристаллов, примесей в сплавах, тяжелых элементов в биологической матрице с содержанием анализируемого элемента до 0.001%, а также жидкостей и газов на базе рентгеноадсорбционной спектроскопии EXAFS/XANES и рентгеновской эмиссионной спектроскопии.

Станция 1-5 «Диагностика в высокоэнергетическом рентгеновском диапазоне»

Станция «Диагностика в высокоэнергетическом рентгеновском диапазоне» станет базой для передовых научных экспериментов в областях материаловедения, геофизики, археологи, палеонтологии и медицины. На станции будет реализовано ряд исследовательских методик с использованием высокоразрешающей интроскопии, дифракции и рассеяния рентгеновских лучей.

Станция 1-6 «Электронная структура»

Станция «Электронная структура» предназначена для решение широкого спектра исследовательских и технологических задач, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и рефлектометрии с использованием синхротронного излучения:

- реализация метода фотоэлектронной спектроскопии высокого давления для проведения in situ и operando исследований состава и электронной структуры активного компонента в функционирующих каталитических системах различного типа при повышенном давлении, in situ исследований закономерностей процессов, приводящих к дезактивации/отравлению каталитических систем различного типа в зависимости от условий протекания реакции (состава реакционной среды, температуры, наличия отравляющих агентов и т.д.), in situ исследований инновационных функциональных материалов;

- реализация метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением, в том числе УФЭС, для проведения исследований зонного спектра и спиновой поляризации твердых тел для приложений наноэлектроники и спинтроники.

- реализация метода рефлектометрии для аттестации спектральных оптических элементов, фокусирующих элементов и детекторов рентгеновского излучения; метода эталонного детектора для абсолютной калибровки спектральной чувствительности различного рода рентгеновских приёмников излучения в ВУФ и МР диапазоне; набора метрологических методик для калибровки основных характеристик различного рода рентгеновских детекторов: однородность чувствительности по поверхности, стабильность характеристик, радиационная стойкость, временные характеристики и т.д.; реализация рефлектометрических методик для определения геометрических и структурных свойств тонкопленочных и многослойных покрытий; реализация рефлектометрических методик для калибровки спектральных элементов для ВУФ и МР области: кристаллов, дифракционных решеток, многослойных зеркал, зеркал полного внешнего отражения и пр.